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VOW3120-X017T是OPTOISO 5.3KV栅极驱动器8SMD，包括VOW系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于IGBT和MOSFET驱动器，提供Digi-ReelR交替封装等封装功能，安装样式设计用于SMD/SMT，以及8-SMD鸥翼封装外壳，该器件也可以用作光耦合技术，其工作温度范围为-40°C~100°C，该器件为表面安装安装型，该器件有1个通道，电压供应为15V~32V，供应商器件封装为8-SMD，配置为单级，输出数量为1，电流输出高低为2.5A、2.5A，电流峰值输出为2.5A，电流DC正向（如果最大值为25mA），电压隔离为5300Vrms，批准为CQC、cUR、UR VDE，关闭为否，电压正向Vf Typ为1.36V，上升下降时间Typ为100ns、100ns，共模瞬态抗扰度Min为25kV/μs，传播延迟tpLH tpHL Max为500ns、500ns，脉宽失真最大值为300ns，Pd功耗为40mW，最大工作温度范围为+100℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电流为2.5 mA，输出电流为2.5 A，下降时间为0.1 us，上升时间为0.1 us，电源电压最大值为32 V，电源电压最小值为15 V，驱动器的数量为1个驱动器，最大关断延迟时间为0.6 us，最大接通延迟时间为0.8 us。
带有用户指南的VOW137-X017T，包括5V Vr反向电压，它们设计用于4.5 V~5.5 V电压供应，数据表注释中显示了5300Vrms中使用的电压隔离，提供电压正向Vf Typ功能，如1.4V，Vf正向电压设计用于1.4 V，以及8-SMD供应商设备包，该设备也可以用作VOW系列。此外，上升时间为14ns，器件提供14ns，7ns上升下降时间类型，器件具有100ns，100ns传播延迟tpLH tpHL Max，Pd功耗为85mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SMD，鸥翼，输出类型为开路集电极，输出电流为50mA，其工作温度范围为-40°C~100°C，通道数为1，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-40°C，最大工作温度范围+100 C，隔离电压为5300 Vrms，输入类型为DC，输入侧1侧2为1/0，如果正向电流为10 mA，下降时间为7 ns，数据速率为10MBd，电流输出通道为50mA，最大电流为20mA，共模瞬态抗扰度最小值为10kV/μs。
VOW2611-X017T带有电路图，包括25kV/μs共模瞬态抗扰度最小值，它们设计为在20mA电流DC正向电流下工作。如果最大值，电流输出通道如数据表注释所示，用于50mA，提供10MBd等数据速率特性，下降时间设计为7 ns，以及10mA正向电流，该设备也可以用作1/0输入侧1侧2。此外，输入类型为DC，设备提供5300 Vrms隔离电压，最大工作温度范围为+100 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为表面安装，通道数为1，工作温度范围-40~100°C，输出电流为50 mA，输出类型为开路集电极，封装外壳为8-SMD，鸥翼，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为85mW，传播延迟tpLH tpHL Max为100ns、100ns，上升-下降时间Typ为14ns、7ns，上升时间为14ns，串联为VOW，供应商器件封装为8-SMD，Vf正向电压为1.4V，电压正向Vf Typ为1.4V，电压隔离为5300Vrms，电压供应为4.5V~5.5V，Vr反向电压为5V。
具有ADI制造的EDA/CAD模型的VOY。VOY采用MSP8封装，是IC芯片的一部分。
