DRV5011-5012EVM设备是一种数字锁存霍尔效应传感器,专为电机和其他旋转系统设计。
该器件具有高效的低电压架构,工作电压为2.5 V至5.5 V。该器件采用标准SOT-23、薄型X2SON和DSBGA封装。输出为无需上拉电阻器的推挽驱动器,从而实现更紧凑的系统。
当南磁极接近封装顶部且超过BOP阈值时,该设备驱动低电压。输出保持低,直到施加北极并且BRP阈值被越过,这导致输出驱动高电压。需要交替的北极和南极来切换输出,集成的滞后将BOP和BRP分开,以提供稳健的切换。
该设备在-40°C至+135°C的宽环境温度范围内产生一致的性能。
特色
- 超小型X2SON、SOT-23或DSBGA封装
- 高磁灵敏度:±2 mT(典型值)
- 鲁棒滞后:4 mT(典型)
- 快速感应带宽:30 kHz
- VCC工作范围:2.5V至5.5V
- 推拉式CMOS输出
- 能够提供5mA电源,20mA下沉
- 工作温度:-40°C至+135°C