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FC6546010R是MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为以0.000265盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在SMini6-F3-B供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为150mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为12pF@3V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为100mA，最大Id Vgs的Rds为12 Ohm@10mA，4V，Vgs最大Id为1.5V@1μA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为12欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型导通延迟时间为100ms，正向跨导最小值为60mS，沟道模式为增强。
FC-638L，带有GTS制造的用户指南。FC-638L采用DIP20封装，是IC芯片的一部分。
FC-638LS，电路图由GTS制造。FC-638LS采用DIP14封装，是IC芯片的一部分。
FC68125，带有CLIFF制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
