TPD1E10B09-Q1EVM器件是一个小型0402工业标准封装中的双向静电放电（ESD）瞬态电压抑制（TVS）二极管。这种TVS保护二极管便于在节省空间的应用中放置元件，具有低RDYN和高IEC额定值。TPD1E10B09-Q1EVM的额定值可消除超过IEC 61000-4-2国际标准（第4级）规定的最大水平的ESD冲击，提供±20 kV接触放电和±20 kV IEC气隙保护。ESD电压很容易达到5kV，在极端条件下，这些电压可能会明显更高，从而损坏许多集成电路。例如，在低湿度环境中，电压可以超过20kV。
低动态电阻（0.5Ω）和低钳位电压（在1-A IPP时为13 V）确保了系统级的瞬态保护，为暴露于ESD事件的设计提供了强大的保护。该设备还具有10 pF IO电容，是音频线、按钮、内存接口或GPIO的理想选择。
该设备也可在没有汽车认证的情况下使用：TPD1E10B09。
特色
- AEC-Q101合格
- IEC 61000-4-2 4级ESD保护
- ±20 kV接触放电
- ±20 kV气隙放电
- ISO 10605（330pF，330Ω）ESD保护
- ±8-kV接触放电
- ±15 kV气隙放电
- IEC 61000-4-5浪涌保护
- 4.5安（8/20μs）
- I/O电容10 pF（典型）
- RDYN:0.5Ω（典型）
- 直流击穿电压±9.5 V（最小值）
- 超低泄漏电流100 nA（最大值）
- 13-V钳位电压（IPP=1 A时的典型值）
- 工业温度范围：-40°C至+125°C
- 节省空间0402占地面积
