ISO5851-Q1是一个5.7-kVRMS的增强型隔离栅极驱动器，用于具有2.5A源极和5-a漏极电流的IGBT和MOSFET。输入侧从单个3V到5.5V电源工作。输出侧允许从最小15 V到最大30 V的电源范围。两个互补的CMOS输入控制栅极驱动器的输出状态。76纳秒的短传播时间确保了输出级的精确控制。
内部去饱和（DESAT）故障检测可识别IGBT何时处于过载状态。在DESAT检测时，栅极驱动器输出被驱动为低至VEE2电位，从而立即关闭IGBT。
当去饱和激活时，故障信号通过隔离栅发送，将输入侧的FLT输出拉低并阻断隔离器输入。FLT输出条件被锁存，并且可以通过RST输入处的低激活脉冲复位。
当IGBT在双极输出电源的正常操作期间关闭时，输出硬箝位至VEE2。如果输出电源是单极的，可以使用有源米勒钳位，允许米勒电流在低阻抗路径上下沉，防止IGBT在高压瞬态条件下动态开启。
当去饱和激活时，故障信号通过隔离屏障发送，将输入侧的FLT输出拉低并阻断隔离器输入。FLT输出条件被锁存，并且可以通过RST输入处的低激活脉冲复位。
当IGBT在双极输出电源的正常操作期间关闭时，输出硬箝位至VEE2。如果输出电源是单极的，可以使用有源米勒钳位，允许米勒电流在低阻抗路径上下沉，防止IGBT在高压瞬态条件下动态开启。
门驱动器的操作就绪状态由两个欠压锁定电路控制，该电路监控输入侧和输出侧电源。如果任何一侧的电源不足，RDY输出变低；否则，该输出为高。
ISO5851-Q1采用16引脚SOIC封装。设备操作规定在-40°C至+125°C环境温度范围内。
对于所有可用的软件包，请参阅数据表末尾的可订购附录。
特色
- 具备汽车应用资格
- AEC-Q100合格，结果如下：
- 1级设备温度：-40°C至+125°C环境工作温度范围
- 器械HBM分类等级3A
- 设备CDM分类等级C6
- VCM=1500 V时100 kV/μs最小共模瞬态抗扰度（CMTI）
- 2.5A峰值源和5-A峰值汇电流
- 短传播延迟：76ns（Typ），
110纳秒（最大值） - 2-A有源米勒钳
- 输出短路钳位
- 在FLT上发出去饱和检测故障警报，并通过RST复位
- 具有就绪（RDY）引脚指示的输入和输出欠压锁定（UVLO）
- 带低电源或浮动输入的有源输出下拉和默认低输出
- 3V至5.5V输入电源电压
- 15-V至30-V输出驱动器电源电压
- CMOS兼容输入
- 拒绝小于20ns的输入脉冲和噪声瞬变
- 隔离浪涌耐受电压12800-VPK
- 安全相关认证：
- 8000-VPK VIOTM和2121-VPK VIORM加强隔离符合DIN V VDE V 0884-10（VDE V 0.884-10）：2006-12
- 根据UL 1577，5700-VRMS隔离1分钟
- CSA部件验收通知5A、IEC 60950–1和IEC 60601–1终端设备标准
- 符合EN 61010-1和EN 60950-1的TUV认证
- GB4943.1-2011 CQC认证
