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TPD1E10B06-Q1EVM

  • 描述:采用的IC/零件: TPD1E10B06-Q1 种类: 电路保护 功能: 瞬态电压抑制(TVS)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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1+ 415.23545 415.23545
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规格参数

  • 嵌入 -
  • 主要特性 -
  • 随附物品 董事会
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 部件状态 过时的
  • 种类 电路保护
  • 功能 瞬态电压抑制(TVS)
  • 采用的IC/零件 TPD1E10B06-Q1
  • 特点 -

TPD1E10B06-Q1EVM 产品详情

TPD1E10B06-Q1EVM器件是一个小型0402工业标准封装中的双向TVS ESD保护二极管,便于在低RDYN和高IEC额定值的节省空间应用中放置元件。TPD1E10B06-Q1EVM的额定值可在IEC 61000-4-2国际标准(第4级)中规定的最大水平以上消除ESD冲击,因为ESD电压可轻易达到5000 V,这足以损坏许多集成电路,但在极端条件下,电压可能会明显更高。例如,在低湿度环境中,电压可以超过20000V。

低动态电阻(0.38Ω)和低钳位电压(1-A IPP时为10 V)可确保系统级保护免受瞬态事件的影响,为暴露于ESD事件的设计提供充分保护。该设备还具有12 pF IO电容,是音频线、按钮、内存接口或GPIO的理想选择。

该设备也可在没有汽车认证的情况下使用:TPD1E10B06。

特色

  • AEC-Q101合格
  • IEC 61000-4-2 4级ESD保护
    • ±30 kV接触放电
    • ±30 kV气隙放电
  • ISO 10605(330 pF,330Ω)ESD保护
    • ±8-kV接触放电
    • ±15 kV气隙放电
  • IEC 61000-4-5浪涌保护
    • 6 A(8/20μs)
  • I/O电容12 pF(典型)
  • RDYN:0.38Ω(典型)
  • 直流击穿电压:±6 V(最小值)
  • 超低泄漏电流100 nA(最大值)
  • 10-V钳位电压(IPP=1 A时的典型值)
  • 工业温度范围:-40°C至+125°C
  • 节省空间0402占地面积


TPD1E10B06-Q1EVM所属分类:评估和演示板及套件,TPD1E10B06-Q1EVM 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPD1E10B06-Q1EVM价格参考¥415.235457,你可以下载 TPD1E10B06-Q1EVM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPD1E10B06-Q1EVM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

德州仪器 (Texas)

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