所有商标均为其各自所有者的财产。
描述UCC27282DRCR是一个强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）电压额定值为100 V。它允许两个N沟道FET以半桥或同步降压配置为基础的拓扑进行控制。其3.5A峰值下沉电流和2.5A峰值源极电流以及低上拉和下拉电阻使UCC27282DRCR能够在MOSFET-Miller平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，UCC27282DRCR可与模拟和数字控制器结合使用。
输入引脚和HS引脚能够承受显著的负电压，这提高了系统的鲁棒性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的鲁棒性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驾驶员的功耗并响应系统内的故障事件，提供了额外的系统灵活性。5V UVLO允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必要的，并在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规范使停滞时间要求最小化，从而进一步提高了效率。
如果VDD电压低于指定阈值，则为高压侧和低压侧驱动器级提供欠压锁定（UVLO），迫使输出变低。集成自举二极管消除了许多应用中对外部分立二极管的需求，这节省了电路板空间并降低了系统成本。UCC27282DRCR采用小型封装，实现高密度设计。
特色
- 驱动高侧低侧配置的两个N沟道MOSFET
- 5V典型欠压锁定
- 输入互锁
- 启用/禁用DRC包中的功能
- 16 ns典型传播延迟
- 1.8-nF负载时，12 ns上升，10 ns下降时间
- 1-ns典型延迟匹配
- 输入上的绝对最大负电压处理（–5V）
- HS上的绝对最大负电压处理（–14V）
- 3.5A宿，2.5A源输出电流
- 绝对最大启动电压120 V
- 禁用时的低电流（7-μA）消耗
- 集成自举二极管
- 规定温度为-40°C至140°C
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描述UCC27282是一个强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100 V。它允许在半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOS。其3.5A峰值下沉电流和2.5A峰值源极电流以及低上拉和下拉电阻使UCC27282能够在MOSFET-Miller平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，UCC27282可与模拟和数字控制器一起使用。
输入引脚和HS引脚能够承受显著的负电压，这提高了系统的鲁棒性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的鲁棒性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驾驶员的功耗并响应系统内的故障事件，提供了额外的系统灵活性。5V UVLO允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必要的，并在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规范使停滞时间要求最小化，从而进一步提高了效率。
如果VDD电压低于指定阈值，则为高压侧和低压侧驱动器级提供欠压锁定（UVLO），迫使输出变低。集成自举二极管消除了许多应用中对外部分立二极管的需求，这节省了电路板空间并降低了系统成本。UCC27282采用小型封装，实现高密度设计。
