TPD3S716-Q1EVM是一款单芯片解决方案，可用于对电池短路、短路和ESD保护，可调节USB连接器的VBUS和汽车应用中的数据线的电流限制。集成数据开关提供了同类最佳的带宽，最大限度地降低了信号衰减，同时提供了18 V对电池短路保护。1GHz的高带宽为Car Play等应用提供了USB2.0高速数据速率。720 MHz以上带宽的额外裕度也有助于使用汽车USB环境中常见的长捕获电缆保持干净的USB 2.0眼图。对蓄电池短路保护将内部系统电路与VBUS_CON、VD+和VD-引脚处的任何过电压条件隔离。在这些引脚上，TPD3S716-Q1EVM可以为热插拔和直流事件处理高达18 V的过压保护。过压保护电路提供了业界最可靠的对电池短路隔离，在200纳秒内关闭数据开关，保护上游电路免受有害电压和电流尖峰的影响。
VBUS_CON引脚还提供可调节的限流负载开关，并处理对地短路保护。该设备支持高达2.4 A的VBUS电流，支持为USB BC1.2、USB Type-C 5V/1.5A充电，以及高达2.4 A.的专有充电方案。数据和VBUS的单独启用引脚允许主机和客户端OTG模式。TPD3S716-Q1EVM还在其VBUS_CON、VD+和VD-引脚上集成了系统级IEC 61000-4-2和ISO 10605 ESD保护，无需提供外部高压、低电容二极管。
特色
- AEC-Q100合格（1级）
- 工作温度范围：-40°C
至+125°C
- 工作温度范围：-40°C
- 对蓄电池短路（最高18 V）和对地短路
VBUS_CON上的保护 - 对蓄电池短路（最高18 V）和对VBUS短路
VD+、VD-保护 - IEC 61000-4-2 VBUS_CON上的ESD保护，
VD+、VD-- ±8-kV接触放电
- ±15 kV气隙放电
- ISO 10605 330 pF，330ΩESD保护开启
VBUS_CON、VD+、VD–- ±8-kV接触放电
- ±15 kV气隙放电
- 低RON nFET VBUS开关（典型值63 mΩ）
- 高速数据交换机（1-GHz，3-dB
带宽） - 可调打嗝电流限制高达2.4 A
- 快速过电压响应时间
- 2μs典型值（VBUS开关）
- 200 ns典型值（数据交换机）
- 独立的VBUS和数据使能引脚
配置主机和客户端/OTG模式 - 故障输出信号
- 热关机功能
- 16针SSOP封装中的流通布局
（4.9毫米×3.9毫米）
