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ISO5500DWR是OPTOISO 4.243KV GATE DRVR 16SOIC,包括ISO5500系列,它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品,类型如数据表注释所示,用于隔离驱动器,提供Digi-ReelR替代封装等封装功能,单位重量设计为0.019312盎司,以及SMD/SMT安装样式,该器件也可以用作16-SOIC(0.295“,7.50mm宽)包装箱。此外,该技术是电容耦合技术,其工作温度范围为-40°C~125°C,该器件具有安装型表面安装,通道数为1,电压供应为3 V~5.5 V,15 V~30 V,供应商器件封装为16-SOIC,输出数为1输出,电流输出高-低为2.5A,2.5A,电流峰值输出为2.5A,电压隔离为4243Vrms,认证为CSA、UL、VDE,升降时间Typ为55ns、10ns,共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs,传播延迟tpLH tpHL最大值为300ns、300ns,Pd功耗为592mW,最大工作温度范围为+125℃,最小工作温度范围-40℃,工作电源电流为8.5mA,输出电流为2.5A,下降时间为10ns,上升时间为55ns,开发套件为ISO5500EVM,电源电压最大值为5.5V,电源电压最小值为3V,驱动器数量为1个驱动器。
ISO5500DW是OPTOISO 4.243KV GATE DRVR 16SOIC,包括3 V~5.5 V、15 V~30 V电压源,它们设计用于4243Vrms电压隔离,单位重量如数据表注释所示,用于0.019312盎司,提供隔离驱动器等类型功能,技术设计用于电容耦合,以及3 V电源电压最小值,该器件还可以用作5.5 V电源电压最大值。此外,供应商器件封装为16-SOIC,该器件为ISO5500系列,该器件的上升时间为55 ns,上升-下降时间Typ为55 ns、10 ns,传播延迟tpLH tpHL最大值为300 ns、300 ns,产品为MOSFET栅极驱动器,Pd功耗为592 mW,并且包装是管交替包装,封装外壳为16-SOIC(0.295“,7.50mm宽),输出电流为2.5 A,工作温度范围为-40°C~125°C,工作电源电流为8.5 mA,输出数量为1个输出,驱动器数量为1驱动器,通道数量为1,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最小工作温度范围是-40 C,其最大工作温度范围为+125 C,下降时间为10 ns,开发套件为ISO5500EVM,电流峰值输出为2.5A,电流输出高-低为2.5A、2.5A,共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs,认证为CSA、UL、VDE。
ISO5452DWR是DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC,包括CQC、CSA、UR、VDE认证,设计用于50kV/μs共模瞬态抗扰度最小值,电流输出高-低如数据表注释所示,用于1.5A、3.4A,提供电流峰值输出功能,如2.7A、5.5A,安装类型设计用于表面安装,以及1个通道,其工作温度范围为-40°C~125°C。此外,封装外壳为16-SOIC(0.295“,7.50mm宽),器件采用Digi-ReelR交替封装,器件具有110ns,110ns的传播延迟tpLH tpHL Max,升降时间Typ为18ns,20ns,供应商器件封装为16-SOC,技术为电容耦合,电压隔离为5700Vrms,电压供应为15V~30V。