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DS28E25Q+U，带引脚细节，包括DS28E25G系列，它们设计为使用管交替封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供封装盒功能，如6-WDFN外露焊盘，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），以及1-WireR串行接口，该器件还可以用作2.97V~3.63V的电压源。此外，供应商设备包为6-TDFN-EP（3x3），设备提供4K（4K x 1）内存大小，设备具有存储类型EEPROM，格式存储器为EEPROM-串行，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为3.3 V，工作电源电流为5 uA，接口类型为串行单线SDQ，组织为256 x 16，电源电流最大值为1 mA，部件号别名为DS28E25Q，电源电压最大值为3.63 V，电源电压最小值为2.97 V，数据保留期为10年。
带用户指南的DS28E25Q+T，包括2.97 V~3.63 V电源，它们设计为以2.97 V电源电压最小值工作，电源电压最大值显示在数据表注释中，用于3.63 V，提供20 mA等电源电流最大值功能。供应商设备包设计为在6-TDFN-EP（3x3）以及DS28E25 Q系列中工作，该设备也可以用作DS28E25Q部件号别名。此外，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，该设备采用6-WDFN外露衬垫包装盒，该设备具有256 x 16的组织结构，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为2.97 V至3.63 V，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围是-40 C，存储器类型为EEPROM，存储器大小为4K（4K x 1），最大工作温度范围为+85℃，接口类型为串行单线SDQ，接口为单线R串行，格式存储器为EEPROM-串行，数据保留期为10年。
DS28E25P+T是IC EEPROM，包括EEPROM-串行格式存储器，它们设计为使用1线R串行接口操作，数据表说明中显示了用于4K（4K x 1）的存储器大小，提供EEPROM等存储器类型功能，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），除了6-LSOJ（0.148“，3.76mm宽）包装盒外，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装盒。此外，零件号别名为DS28E25P，该设备在DS28E25系列中提供，该设备具有供应商设备包的6-TSOC，电压供应为2.97 V~3.63 V。
DS28E35P-101-44+T，带Maxim制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
