TPD1E1B04EVM是一种双向TVS ESD保护二极管,具有低RDYN和低钳位电压。TPD1E1B04EVM的额定值可在IEC 61000-4-2国际标准(4级)中规定的最大水平下消除ESD冲击。
超低的动态电阻(0.15Ω)和极低的钳位电压(16-A TLP时为8.5 V)确保了系统级对瞬态事件的保护。该设备具有1-F IO电容,非常适合保护USB 2.0等接口。
TPD1E1B04EVM在行业标准0402(DPY)包中提供。
特色
- IEC 61000-4-2 4级ESD保护
- ±30 kV接触放电
- ±30 kV气隙放电
- IEC 61000-4-4 EFT保护
- 80安(5/50纳秒)
- IEC 61000-4-5浪涌保护
- 6.3安(8/20μs)
- IO电容:1 pF(典型)
- 直流击穿电压:6.4 V(典型)
- 低泄漏电流:100 nA(最大值)
- 极低ESD钳位电压
- ±16-A TLP时为8.5 V
- RDYN:0.15Ω
- 工业温度范围:-40°C至+125°C
- 行业标准0402包装