9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NCP1031POEEVB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NCP1031PEEVB价格参考125.0000美元。onsemi NCP1031OEEVB包装/规格：BOARD EVAL NCP1031 POE DC CONV.您可以下载NCP1031PEEVB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NCP1031DR2G是集成电路CTRLR PWM OTP OVD HV 8SOIC，包括NCP1031系列，它们设计用于降压转换器类型，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-40℃至+150℃，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的8-SOIC，功率瓦为6W，输出隔离为非此即彼，内部开关为是，电压击穿为200V，拓扑为Boost、Flyback、Forward，电压启动为10.2V，电压供应Vcc Vdd为7.6V～16V，占空比为75%，频率切换高达1MHz，故障保护为限流、过温，控制功能为频率控制，停机为停机，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，输出电压为12 V，输入电压为8 V至200 V，最大输入电压为16 V，输出电流为1A，开关频率为1MHz，输入电压MIN为8V，电源电压MIN为8V。
NCP1031MTXG是一款集成电路CTRLR PWM OTP OVD HV 8DFN，包括7.6 V ~ 16 V电压源Vcc Vdd，它们设计用于10.2V电压启动，数据表中显示了200V中使用的电压击穿，提供单位重量功能，如0.001319盎司，拓扑设计用于Boost、Flyback、Forward以及300kHz开关频率，该设备也可以用作8-DFN（4x4）供应商设备包。此外，该系列为NCP1031，该设备的上升时间为22 ns，该设备具有6W的功率瓦，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为8-VDFN裸露衬垫，输出隔离为任意一种，输出电流为16 mA，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），工作电源电流为3 mA，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+150℃，隔离为非隔离隔离，内部开关为是，输入电压为10.2 V，频率开关高达1MHz，故障保护为限流、过温、，下降时间为24ns，占空比最大值为75%，占空因数为75%，控制特性为频率控制。
NCP1031DR2是集成电路CTRLR PWM OTP OVD HV 8SOIC，包括频率控制功能，它们设计为以75%的占空比运行，数据表注释中显示了用于电流限制、过温的故障保护，提供频率切换功能，如高达1MHz，内部开关设计为在Yes（是）下工作，以及表面安装安装类型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，输出隔离为非此即彼，该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），功率瓦为6W，供应商器件封装为8-SOIC，拓扑为Boost、Flyback、Forward，电压击穿为200V，电压启动为10.2V，电压供应Vcc Vdd为7.6V～16V。
