UCC21521CEVM-286是具有4-A源极和6-A吸收峰值电流的隔离双通道栅极驱动器。它设计用于驱动功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET，最高可达5MHz，具有最佳的传播延迟和脉宽失真。
输入侧通过5.7-kVRMS增强隔离屏障与两个输出驱动器隔离，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为100-V/ns。两个二次侧驱动器之间的内部功能隔离允许高达1500 VDC的工作电压。
该驱动器可以配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或具有可编程停滞时间（DT）的半桥驱动器。EN引脚拉低同时关闭两个输出，当保持打开或拉高时允许正常操作。作为故障安全措施，一次侧逻辑故障迫使两个输出均为低电平。
该设备可接受高达25 V的VDD电源电压。从3 V到18 V的宽输入VCCI范围使该驱动器适合与模拟和数字控制器接口。所有电源电压引脚都具有欠压锁定（UVLO）保护。
凭借所有这些先进的功能，UCC21521CEVM-286能够在各种电力应用中实现高效率、高功率密度和鲁棒性。
特色
- 通用：双低端、双高端或半桥驱动器
- 工作温度范围–40至+125°C
- 切换参数：
- 19 ns典型传播延迟
- 10 ns最小脉冲宽度
- 5-ns最大延迟匹配
- 5-ns最大脉冲宽度失真
- 共模瞬态抗扰度（CMTI）大于100 V/ns
- 浪涌抗扰度高达12.8 kV
- 隔离栅寿命>40年
- 4-A峰值源，6-A峰值接收输出
- TTL和CMOS兼容输入
- 与数字和模拟控制器接口的3V至18V输入VCCI范围
- 高达25 V VDD输出驱动电源
- 5V、8-V、12-V VDD UVLO选项
- 可编程重叠和停滞时间
- 拒绝小于5 ns的输入脉冲和噪声瞬变
- 快速启用电源排序
- 宽体SOIC-16（DW）封装
- 安全相关和监管批准：
- 8000-VPK隔离符合DIN V VDE V 0884-10（VDE V0884-10）：2006-12
- 根据UL 1577，5700-VRMS隔离1分钟
- CSA部件验收通知5A、IEC 60950-1和IEC 60601-1终端设备标准（计划）
- 符合GB4943.1-2011的CQC认证（计划）
