TPD2E2U06-Q1EVM是一种低电容瞬态电压抑制器(TVS)静电放电(ESD)保护二极管阵列。该双通道ESD保护二极管的额定值可将ESD冲击消散至IEC 61000-4-2国际标准规定的最高水平以上。TPD2E2U06-Q1EVM的1.5 pF线电容使其成为保护USB 2.0、以太网、LVDS、天线和I2C等接口的理想选择。
特色
- AEC-Q101合格
- IEC 61000-4-2 4级ESD保护
- ±25 kV(接触放电)
- ±30 kV(气隙放电)
- ISO 10605(330 pF,330Ω)ESD保护
- ±20 kV(接触放电)
- ±25 kV(气隙放电)
- IO电容1.5-pF(典型)
- 直流击穿电压6.5 V(最小值)
- 超低泄漏电流10 nA(最大值)
- 低ESD箝位电压
- 工业温度范围:-40°C至+125°C
- 小型易布线DBZ和DCK包