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UPTB8/TR13带有引脚细节，包括齐纳型，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起操作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SMD/SMT等终端样式功能，高度设计为1.14 mm，长度为2.03 mm，设备也可以用作2.03 mm宽度。此外，包装箱为DO-216AA，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），设备为安装型表面安装，应用为通用型，供应商设备包装为Powermite 1（DO216-AA），单向通道为，双向通道为1，电压反向间隔类型为8V，电压击穿最小值为9V，电压钳位最大Ipp为13.7V，电流峰值脉冲10 1000μs为10.9A，功率峰值脉冲为1000W（1kW），电源线保护为No。
带有用户指南的UPTB8/TR7，包括2.03 mm宽，设计用于8V电压反向间隔类型，数据表说明中显示了用于13.7V的电压钳位最大Ipp，提供最小电压击穿功能，如9V，单向信道设计用于齐纳型，该设备也可作为SMD/SMT终端类型。此外，供应商设备包装为Powermite 1（DO216-AA），设备提供1000W（1kW）功率峰值脉冲，设备具有无电源线保护，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-216AA，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其长度为2.03mm，高度为1.14mm，电流峰值脉冲1000μs为10.9A，双向通道为1，其应用是通用的。
带有电路图的UPTB8E3/TR13，包括通用应用，它们设计用于1个双向通道，数据表注释中显示了用于10.9A的电流峰值脉冲10 1000μs，提供1.14 mm等高度特性，长度设计为2.03 mm，以及表面安装安装类型，该设备也可用于SMD/SMT安装类型，它的工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），该器件采用DO-216AA封装盒，该器件具有封装的磁带和卷轴（TR），电源线保护为否，功率峰值脉冲为1000W（1kW），供应商器件封装为Powermite 1（DO216-AA），终端类型为SMD/SMT，类型为齐纳，电压击穿最小值为9V，电压钳位最大Ipp为13.7V，电压反向间隔Typ为8V，宽度为2.03mm。
UPTB8E3/TR7是TVS DIODE 8VWM POWERMITE1，包括齐纳型，它们设计用于表面安装安装型，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SMD/SMT等终端类型功能，供应商设备包设计用于Powermite 1（DO216-AA），以及无电源线保护，该设备也可以用作通用应用。此外，封装外壳为DO-216AA，该器件采用Digi-ReelR封装，该器件的最小电压击穿电压为9V，反向电压间隔类型为8V，工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），长度为2.03 mm，宽度为2.03毫米，电压钳位最大Ipp为13.7V，功率峰值脉冲为1000W（1kW），电流峰值脉冲10 1000μs为10.9A，高度为1.14mm，双向通道为1，单向通道为。
