NXP制造的MC9RS08KA2CPC部件为RS08微控制器、RS08KA 8位MCU、RS08内核、2KB闪存、20MHz、DIP 8，可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的MC9RS08KA2CPC组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
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MC9RS08KA1CSC是集成电路MCU 8BIT 1KB FLASH 8SOIC，包括RS08系列，它们设计用于管式交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002616盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该器件也可以用作8-SOIC供应商器件封装。此外，I/O数量为4，该设备以10MHz速度提供，该设备具有RS08核心处理器，RAM大小为63 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、WDT，电源Vcc Vdd为1.8 V~5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为1KB（1K x 8），振荡器类型为内部，它的最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围是-40 C，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，内核为RS08，处理器系列为RS08KA，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为1.8 V，最大时钟频率为20 MHz，I/O数量为4个I/O，数据RAM大小为63B，数据ROM大小为1kB，ADC分辨率为No ADC，数据ROM类型为Flash。
MC9RS08KA2CDB是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 6QFNEP，包括1.8 V~5.5 V电压供应Vcc Vdd，它们设计为在0.000744 oz单位重量下运行，数据表注释中显示了1.8 V中使用的最小供应电压，提供5.5 V等最大供应电压功能，供应商设备包设计为在6-QFN-EP（3x3）中工作，以及10MHz速度，该设备也可以用作RS08系列。此外，RAM大小为63 x 8，该设备为FLASH程序存储器类型，该设备具有2KB（2K x 8）的程序存储器大小，处理器系列为RS08KA，外围设备为LVD、POR、WDT，包装为托盘，包装盒为6-VDFN裸露垫，振荡器类型为内部，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为2.7V至5.5V，I/O数量为4个I/O，I/O数量2个，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+85℃，最大时钟频率为20MHz，数据ROM类型为闪存，数据ROM大小为2kB，数据RAM大小为63B，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为RS08，核心为RS08；ADC分辨率为No ADC。
MC9RS08KA1CSCR是IC MCU 8BIT 1KB FLASH 8SOIC，包括无ADC ADC分辨率，它们设计为与RS08核心一起工作，数据表说明中显示了用于RS08的核心处理器，提供了8位等核心尺寸功能，数据总线宽度设计为8位工作，以及63 B数据RAM大小，该设备还可以用作20 MHz最大时钟频率，它的最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，该器件具有安装型SMD/SMT，I/O数量为4，I/O数量是4，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，工作温度范围是-40°C~85°C（TA），振荡器类型为内部，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），封装为Digi-ReelR交替封装，外围设备为LVD、POR、WDT，处理器系列为RS08KA，产品为MCU，程序内存大小为1KB（1K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为63 x 8，系列为RS08，速度为10MHz，供应商器件封装为8-SOIC，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为1.8 V，单位重量为0.002616 oz，电源Vcc Vdd为1.8 V~5.5 V。
