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TPD1E01B04EVM

  • 描述:采用的IC/零件: TPD1E01B04 种类: 电路保护 嵌入: 无 功能: 瞬态电压抑制(TVS)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 415.23545 415.23545
  • 库存: 5
  • 单价: ¥415.23546
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥415.24
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规格参数

  • 主要特性 -
  • 随附物品 董事会
  • 嵌入
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 部件状态 过时的
  • 种类 电路保护
  • 功能 瞬态电压抑制(TVS)
  • 采用的IC/零件 TPD1E01B04
  • 特点 -

TPD1E01B04EVM 产品详情

TPD1E01B04EVM是用于USB Type-C和Thunderbolt 3电路保护的双向TVS ESD保护二极管阵列。TPD1E01B04EVM的额定值可在IEC 61000-4-2国际标准(4级)中规定的最大水平下消除ESD冲击。

该设备具有0.18至0.20-pF(典型)IO电容,非常适合保护高达20 Gbps的高速接口,如USB 3.1 Gen2和Thunderbolt 3。低动态电阻和低钳位电压确保系统级保护免受瞬态事件的影响。

TPD1E01B04EVM在行业标准0201(DPL)封装和0402(DPY)封装中提供。

特色

  • IEC 61000-4-2 4级ESD保护
    • ±15 kV接触放电
    • ±17 kV气隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT保护
    • 80安(5/50纳秒)
  • IEC 61000-4-5浪涌保护
    • 2.5安(8/20μs)
  • IO电容:
    • 0.18至0.20 pF(典型)
    • 0.20至0.23 pF(最大值)
  • 直流击穿电压:6.4 V(典型)
  • 超低泄漏电流:10 nA(最大值)
  • 低ESD钳位电压:16 A TLP时为15 V
  • 低插入损耗:26.9 GHz(–3 dB带宽,DPL)
  • 支持高达20 Gbps的高速接口
  • 工业温度范围:-40°C至+125°C
  • 行业标准0201和0402占地面积


TPD1E01B04EVM所属分类:评估和演示板及套件,TPD1E01B04EVM 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPD1E01B04EVM价格参考¥415.235457,你可以下载 TPD1E01B04EVM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPD1E01B04EVM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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