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MC9S08QA2CDNE是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC，包括S08系列，它们设计用于与MCU产品一起工作，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.002616盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA）此外，供应商设备包为8-SOIC，设备提供4个I/O，设备速度为20MHz，核心处理器为S08，RAM大小为160 x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V，核心大小为8位，程序存储器大小为2KB（2K x 8），数据转换器为A/D 4x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，接口类型为SCI，核心为HCS08，处理器系列为MC9S08QA2，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为3.6 V，电源电压Min为1.8V，最大时钟频率为20MHz，ADC通道数为4，I/O数为5 I/O，数据RAM大小为160B，定时器计数器数为1定时器，ADC分辨率为10位。
MC9S08QA2CFQE是IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8QFN，包括1.8 V~3.6 V电源Vcc Vdd，它们设计为在0.001319盎司单位重量下工作，数据表中显示了1.8 V的最小电源电压，提供3.6 V等最大电源电压功能，供应商设备包设计为在8-QFN EP（4x4）以及20MHz速度下工作，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为160 x 8，该设备采用FLASH程序存储器类型，该设备具有2KB（2K x 8）的程序存储器大小，处理器系列为MC9S08，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，包装为托盘，包装盒为8-VDFN外露垫，振荡器类型为内部，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为1.8 V至3.6 V，定时器计数器的数量为1个定时器，I/O的数量为5个I/O，I/O的数目为4，ADC通道的数量为4，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+85 C，最大时钟频率为20 MHz，接口类型为SCI，数据RAM大小为160B，数据转换器为A/D 4x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为S08；ADC分辨率为10位。
MC9S08PT8VWJ是IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20SOIC，包括I2C、LIN、SPI、UART/USART连接，它们设计为与S08核心处理器一起工作，数据表说明中显示了用于8位的核心尺寸，提供了a/D 12x12b等数据转换器功能，EEPROM尺寸设计为256 x 8，其工作温度范围为-40°C~105°C（TA）。此外，振荡器类型是内部的，该器件采用20-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装盒，该器件具有一个封装管，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，程序存储器大小为8KB（8K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为2K x 8，系列为S08，速度为20MHz，供应商器件封装为20-SOIC W，电源Vcc Vdd为2.7V~5.5V。
