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S9S08SG32E1VTLR是集成电路MCU 8BIT 32KB FLASH 28TSSOP，包括S08系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装。数据表说明中显示了用于0.004055盎司的单位重量，提供了SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于28-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），其工作温度范围为-40°C~105°C（TA），该设备也可用作28-TSSOP供应商设备包。此外，I/O数量为22，该设备以40MHz速度提供，该设备具有S08核心处理器，RAM大小为1K x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、LIN、SCI、SPI，电源Vcc Vdd为2.7 V~5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为32KB（32K x 8），数据转换器为A/D 16x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+105 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，接口类型为SCI SPI，核心为HCS08，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为2.7 V，最大时钟频率为40 MHz，ADC通道数为16，I/O数为22 I/O，数据RAM大小为1 kB，计时器计数器数为1 Timer，ADC分辨率为10位。
S9S08SG32E1VTL是IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28TSSOP，包括2.7 V~5.5 V电压供应Vcc Vdd，它们设计为在0.004055 oz单位重量下工作，数据表说明中显示了2.7 V中使用的最小供应电压，提供5.5 V等最大供应电压功能，供应商设备包设计为在28-TSSOP中工作，以及40MHz速度，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为1K x 8，该设备采用FLASH程序存储器类型，该设备具有32KB（32K x 8）的程序存储器大小，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为管交替封装，封装外壳为28-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~105°C（TA），工作电源电压为2.7 V至5.5 V，定时器计数器的数量为1个定时器，I/O的数量为22个I/O，I/O数量为22，ADC通道的数量为16，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+105 C，最大时钟频率为40 MHz，接口类型为SCI SPI，数据RAM大小为1kB，数据转换器为A/D 16x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为HCS08，连接为I2C、LIN、SCI、SPI，ADC分辨率为10位。
S9S08SG32E1WTG是IC MCU 8BIT 32KB FLASH 16TSSOP，包括I2C、LIN、SCI、SPI连接，它们设计用于HCS08核心，数据表中显示了用于S08的核心处理器，提供了8位等核心尺寸功能，数据总线宽度设计用于8位，以及a/D 8x10b数据转换器，该设备还可以用作1 kB数据RAM大小。此外，数据RAM类型为RAM，该设备采用I2C SPI接口类型，该设备的最大时钟频率为40 MHz，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为SMD/SMT，I/O数量为12，IO数量为12 I/O，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，其工作温度范围为-40°C~150°C（TA），振荡器类型为内部，封装外壳为16-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），封装为管形，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，处理器系列为HCS08，程序内存大小为32KB（32K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为1K x 8，系列为S08，速度为40MHz，供应商设备包为16-TSSOP，单位重量为0.002194盎司，电源Vcc Vdd为2.7 V ~ 5.5 V。
