INTEL/AMD/AMD制造的R80186零件可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的R80186组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如R80186库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
R8010ANX是MOSFET 10V驱动Nch MOSFET，包括R8010ANX系列，它们设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.090478盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-FP-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1 N沟道，该器件为1 N型沟道晶体管，该器件具有40 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为54 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为560mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为97ns，典型接通延迟时间为43ns，Qg栅极电荷为62nC，正向跨导最小值为2.2S，沟道模式为增强。
R800CH18C2K0，带有WESTCODE制造的用户指南。R800CH18C2K0在模块包中提供，是模块的一部分。
R8010，电路图由SIRISE制造。R8010采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
