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LMG1020EVM-006器件是一种单低端驱动器，设计用于驱动高速应用中的GaN FET和逻辑级MOSFET，包括LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低端驱动器的功率转换器。LMG1020EVM-006的设计简单，可实现2.5纳秒的极快传播延迟和1纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与OUTH和OUTL之间连接外部电阻器，可以独立调节上拉和下拉边缘的驱动强度。
在过载或故障情况下，驱动器具有欠压锁定（UVLO）和过热保护（OTP）功能。
LMG1020EVM-006的0.8-mm×1.2-mm WCSP封装在高频应用中使栅极回路电感最小化，功率密度最大化。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | LMG34XX-BB-EVM | 德州仪器 (Texas) | 采用的IC/零件: LMG3410 种类: 电源管理 功能: 半H桥驱动器（内部FET） | ¥1,687.37841 |
 | LMGEM-VKCEA | 霍尼韦尔 (Honeywell) | LIMIT SWITCH INDUSTRIAL | ¥206.35022 |
| LMGEM-VK36 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | LIMIT SWITCH INDUSTRIAL | ¥70.4879 |
| LMGEM-V36 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | LIMIT SWITCH INDUSTRIAL | ¥224.29813 |
| LMG3522EVM-042 | LMG3522R030-Q1 AUTOMOTIVE 650-V | ¥0.00 | |
| LMG3422EVM-043 | PROTOTYPE | ¥0.00 | |
| LMG3422EVM-041 | LMG3422R050 600-V 50-M HALF-BRID | ¥0.00 | |
| LMG2610RRGR | 650-V 170/248-M GAN HALF-BRIDGE | ¥0.00 | |
| LMG2610RRGT | 650-V 170/248-M GAN HALF-BRIDGE | ¥0.00 | |
| LMG3422R050RQZR | IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN | ¥0.00 |
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