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LS101C-GS08是DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80，包括汽车、AEC-Q101系列，设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.001827盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOD-80变型包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SOD-80 QuadroMELF供应商设备包，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@30V，电压正向Vf Max If为900mV@15mA，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为30mA，电容Vr F为2.2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为125°C（最大值），其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-65 C，在0.015 A时Vf正向电压为0.9 V，Ir反向电流为0.2 uA，如果正向电流为0.03 A，Vrm重复反向电压为40V，Ifsm正向浪涌电流为2A。
LS101C-GS18是DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80，包括40V Vrm重复反向电压，它们设计为在900mV@15mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于40V的电压直流反向Vr Max，它提供了0.015 a时的0.9 V正向电压特性，单位重量设计为0.001827盎司，以及Si技术，该设备也可以用作SOD-80 QuadroMELF供应商设备包。此外，速度为小信号=，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备具有肖特基二极管产品，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-80变体，其工作温度结范围为125°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+125℃，Ir反向电流为0.2 uA，Ifsm正向浪涌电流为2 A，Ifs正向电流为0.03 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@30V，电流平均整流Io为30mA，配置为单一，而电容Vr F在0V、1MHz时为2.2pF。
带有电路图的LS101MASE7DFA，包括ARM1136JF-S核心处理器，它们设计为与GbE（2）以太网一起工作，数据表注释中显示了图形加速，用于No，提供了核数总线宽度功能，如1核、32位，其工作温度范围为0°C~70°C（TA），以及448-FBGA暴露焊盘封装外壳，该装置也可以用作托盘包装。此外，RAM控制器为DDR2，该设备为QorlQ LS1系列，该设备具有650MHz的速度，供应商设备包为448-PBGA w/散热片（23x23），单位重量为0.061821盎司，USB为USB 2.0+PHY（1）。
