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LS101C-GS18是DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD80，包括汽车、AEC-Q101系列，设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.001827盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOD-80变型包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SOD-80 QuadroMELF供应商设备包，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@30V，电压正向Vf Max If为900mV@15mA，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为30mA，电容Vr F为2.2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为125°C（最大值），其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-65 C，在0.015 A时Vf正向电压为0.9 V，Ir反向电流为0.2 uA，如果正向电流为0.03 A，Vrm重复反向电压为40V，Ifsm正向浪涌电流为2A。
LS101MASE7DFA带有用户指南，包括USB 2.0+PHY（1）USB，设计用于0.061821盎司单位重量的操作，数据表说明中显示了用于448-PBGA w/散热片（23x23）的供应商设备包，该设备提供650MHz等速度功能，该系列设计用于QorlQ LS1以及DDR2 RAM控制器，该设备还可以用作托盘包装。此外，封装外壳为448-FBGA外露焊盘，其工作温度范围为0°C~70°C（TA），设备具有1个内核，32位内核总线宽度，图形加速为否，以太网为GbE（2），核心处理器为ARM1136JF-S。
带有电路图的LS101MASE7EHA，包括ARM1136JF-S核心处理器，它们设计为与GbE（2）以太网一起工作，数据表注释中显示了图形加速，用于No，提供了核数总线宽度功能，如1核、32位，其工作温度范围为0°C~70°C（TA），以及448-FBGA暴露焊盘封装外壳，该装置也可以用作托盘包装。此外，RAM控制器为DDR2，该设备为QorlQ LS1系列，该设备具有650MHz的速度，供应商设备包为448-PBGA w/散热片（23x23），单位重量为0.061821盎司，USB为USB 2.0+PHY（1）。
