恩智浦制造的MC9S08GT32CB零件可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的MC9S08GT32CB组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如MC9S08GT32CB库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
MC9S08GT32ACFDE是IC MCU 8BIT 32KB FLASH 48QFN，包括S08系列，它们设计用于托盘交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004892盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于48-VFQFN暴露垫，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该设备也可以用作48-QFN-EP（7x7）供应商设备包。此外，I/O数量为39，该设备以40MHz速度提供，该设备具有S08核心处理器，RAM大小为2K x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、SCI、SPI，电压供应Vcc Vdd为1.8 V~3.6 V，核心大小为8位，程序存储器大小为32KB（32K x 8），数据转换器为A/D 8x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，接口类型为I2C SCI SPI，内核为S08，处理器系列为MC9S08，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为3.6 V，电源电压Min为1.8 V 2.08 V，最大时钟频率为20 MHz，ADC通道数为8，I/O数为39 I/O，数据RAM大小为4kB，定时器计数器数为2 Timer，ADC分辨率为10位，数据ROM类型为Flash。
MC9S08GT32ACFBER是IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP，包括1.8 V~3.6 V电源Vcc Vdd，它们设计用于0.017588 oz单位重量的操作，数据表中显示了1.8 V 2.08 V的最小电源电压，提供3.6 V等最大电源电压功能，供应商设备包设计用于44-QFP（10x10），以及40MHz速度，该设备也可以用作S08系列。此外，RAM大小为2K x 8，设备采用FLASH程序存储器类型，设备具有32KB（32K x 8）的程序存储器大小，产品为MCU，处理器系列为MC9S08，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装盒为44-QFP，振荡器类型为内部，它的工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为1.8 V至3.6 V，定时器计数器的数量为2个定时器，I/O的数量为36个I/O，I/O的数目为36个，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围-40 C，最大工作温度范围+85 C，最大时钟频率为40MHz，接口类型为SCI SPI，数据RAM大小为2kB，数据转换器为A/D 8x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为S08；连接为I2C、SCI、SPI。
MC9S08GT32ACFDER是IC MCU 8BIT 32KB FLASH 48QFN，包括I2C、SCI、SPI连接，它们设计用于S08核心，数据表中显示了用于S08的核心处理器，提供了8位等核心尺寸功能，数据总线宽度设计用于8位，以及a/D 8x10b数据转换器，该设备还可以用作39个I/O。此外，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），设备内部为振荡器型，封装外壳为48-VFQFN暴露垫，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，外围为LVD、POR、PWM、WDT，处理器系列为MC9S08，程序存储器大小为32KB（32K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为2K x 8，系列为S08，速度为40MHz，供应商设备封装为48-QFN-EP（7x7），单位重量为0.004892盎司，电压供应Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V。
