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MC9S08GT32ACFDE是IC MCU 8BIT 32KB FLASH 48QFN，包括S08系列，它们设计用于托盘交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004892盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于48-VFQFN暴露垫，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该设备也可以用作48-QFN-EP（7x7）供应商设备包。此外，I/O数量为39，该设备以40MHz速度提供，该设备具有S08核心处理器，RAM大小为2K x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、SCI、SPI，电压供应Vcc Vdd为1.8 V~3.6 V，核心大小为8位，程序存储器大小为32KB（32K x 8），数据转换器为A/D 8x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为1.8 V至3.6 V，接口类型为I2C SCI SPI，内核为S08，处理器系列为MC9S08，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为3.6 V，电源电压Min为1.8 V 2.08 V，最大时钟频率为20 MHz，ADC通道数为8，I/O数为39 I/O，数据RAM大小为4kB，定时器计数器数为2 Timer，ADC分辨率为10位，数据ROM类型为Flash。
MC9S08GT32ACFDER是集成电路MCU 8BIT 32KB FLASH 48QFN，包括1.8 V~3.6 V电压源Vcc Vdd，它们设计为在0.004892盎司单位重量下工作，数据表说明中显示了用于48-QFN-EP（7x7）的供应商设备包，该产品提供40MHz等速度特性，系列设计用于S08，以及2K x 8 RAM大小，该设备也可以用作FLASH程序存储器类型。此外，程序内存大小为32KB（32K x 8），该设备采用MC9S08处理器系列，该设备具有LVD、POR、PWM、WDT外围设备，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为48-VFQFN裸露垫，振荡器类型为内部，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），工作电源电压为1.8V至3.6V，I/O数量为39，数据转换器为A/D 8x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为S08；连接为I2C、SCI、SPI。
MC9S08GT32CB是IC MCU 8BIT 32KB FLASH 42PSDIP，包括I2C、SCI、SPI连接，它们设计为与S08核心处理器一起工作，核心尺寸如数据表说明所示，用于8位，提供a/D 8x10b等数据转换器功能，I/O数量设计为34，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），该器件也可以用作内部振荡器类型。此外，封装外壳为42-SDIP（0.600“，15.24mm），设备采用管封装，设备具有LVD、POR、PWM、WDT外围设备，程序存储器大小为32KB（32K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为2K x 8，系列为S08，速度为40MHz，供应商设备封装为42-PSDIP，电源Vcc Vdd为1.8 V ~ 3.6 V。
