领先的性能
•350+MHz系统性能
•500+MHz内部性能
•高性能嵌入式FIFO
•支持700 Mb/s LVDS的I/O
规格
•多达200万个等效系统闸门
•多达684个I/O
•多达10752个专用触发器
•高达295 kbits的嵌入式SRAM/FIFO
•采用先进的0.15μm CMOS反熔丝工艺技术制造，7层Meta
特色
•单片非挥发性解决方案
•高达100%的资源利用率和100%的引脚锁定
•1.5 V低功耗核心电压
•封装尺寸兼容
•灵活的多标准I/O：
–1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V混合电压操作
–存储体可选I/O–每个芯片8个存储体
–单端I/O标准：LVTTL、LVCMOS、3.3V PCI和3.3V PCI-X
–差分I/O标准：LVPECL和LVDS
•高达100%的资源利用率和100%的引脚锁定
•1.5 V低功耗核心电压
•封装尺寸兼容
•灵活的多标准I/O：
–1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V混合电压操作
–存储体可选I/O–每个芯片8个存储体
–单端I/O标准：LVTTL、LVCMOS、3.3V PCI和3.3V PCI-X
–差分I/O标准：LVPECL和LVDS
