NX3DV2567HR，115是一个四极双掷模拟开关（4PDT），优化用于切换WLAN-SIM电源、数据和控制信号。它有一个数字选择输入端（S）和四个开关，每个开关具有两个独立的输入/输出端（nY0和nY1）和一个公共输入/输出（nZ）。S处的施密特触发器动作使电路能够耐受整个VCC范围内从1.4V到4.3V的较慢输入上升和下降时间。
低输入电压阈值允许引脚S由低电平逻辑信号驱动，而不会显著增加电源电流ICC。这使得NX3DV2567HR、115可以使用1.8 V数字控制器切换4.3 V信号，从而无需逻辑电平转换。
NX3DV2567HR，115允许振幅高达VCC的信号从nZ传输到nY0或nY1；或从nY0或nY1到nZ。
特色
- 电源电压范围从1.4 V到4.3 V
- 电源路径的导通电阻非常低：
- 0.5Ω（典型）VCC=1.8 V
- 0.45Ω（典型）VCC=2.7 V
- 数据路径的低导通电阻：
- 7.Ω（典型）VCC=1.8 V
- 6.Ω（典型）VCC=2.7 V
- 数据路径的低导通电容
- 宽-3 db带宽>160 MHz
- 先断后合开关
- 高噪声抗扰度
- ESD保护：
- HBM JESD22-A114F 3A级超过4000 V
- HBM JESD22-A114F 3A级I/O至GND超过7000 V
- CDM AEC-Q100-011 B版超过1000 V
- CMOS低功耗
- 根据JESD 78B II级A级，锁存性能超过100 mA
- VCC=3.6V时的1.8V控制逻辑
- 控制输入接受高于电源电压的电压
- 极低的电源电流，即使输入低于VCC
- 高电流处理能力（电源路径开关在3.3 V电源下的350 mA连续电流）
- 规定范围为-40°C至+85°C和-40°C到+125°C
