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S9S08SG16E1MTL是集成电路MCU 8BIT 16KB FLASH 28TSSOP，包括S08系列，它们设计用于管交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004055盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于28-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），该设备也可用作28-TSSOP供应商设备包。此外，I/O数量为22，该设备以40MHz速度提供，该设备具有S08核心处理器，RAM大小为1K x 8，程序存储器类型为FLASH，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，连接为I2C、LIN、SCI、SPI，电压供应Vcc Vdd为2.7 V ~ 5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为16KB（16K x 8），数据转换器为A/D 16x10b，振荡器类型为内部，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.7 V至5.5 V，接口类型为I2C SCI SPI，核心为HCS08，处理器系列为S08SG，数据总线宽度为8位，电源电压最大值为5.5 V，电源电压Min为2.7V，最大时钟频率为40MHz，ADC通道数为16，I/O数为22I/O，数据RAM大小为1kB，定时器计数器数为1Timer，ADC分辨率为10位。
S9S08SG16E1MTJR是IC MCU 8BIT 16KB FLASH 20TSSOP，包括2.7 V~5.5 V电压供应Vcc Vdd，它们设计为在0.002871盎司单位重量下运行。数据表说明中显示了用于20-TSSOP的供应商设备包，其提供40MHz等速度特性，系列设计用于S08，以及1K x 8 RAM大小，该设备也可以用作FLASH程序存储器类型。此外，程序内存大小为16KB（16K x 8），该设备采用HCS08处理器系列，该设备具有LVD、POR、PWM、WDT外围设备，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，封装外壳为20-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~125°C（TA），工作电源电压为2.7 V至5.5 V，定时器计数器的数量为3个定时器，I/O的数量为16个I/O，I/O数量为16，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+125 C，最大时钟频率为40 MHz，接口类型为I2C SCI SPI，数据RAM类型为RAM，数据RAM大小为1kB，数据转换器为A/D 12x10b，数据总线宽度为8位，核心大小为8位；核心处理器为S08，核心为HCS08，连接为I2C、LIN、SCI、SPI。
S9S08SG16E1MTLR是IC MCU 8BIT 16KB FLASH 28TSSOP，包括I2C、LIN、SCI、SPI连接，它们设计为与HCS08内核一起工作，数据表中显示了用于S08的核心处理器，提供了8位等核心尺寸功能，数据总线宽度设计为8位工作，以及a/D 16x10b数据转换器，该设备还可以用作1 kB数据RAM大小。此外，数据RAM类型为RAM，设备采用I2C SCI SPI接口类型，设备的最大时钟频率为5 MHz，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为SMD/SMT，I/O数量为22，定时器计数器数量为2个定时器，工作电源电压为2.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C~125°C（TA），振荡器类型为内部，包装箱为28-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，外围设备为LVD、POR、PWM、WDT，程序内存大小为16KB（16K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为1K x 8，系列为S08，速度为40MHz，供应商设备包为28-TSSOP，单位重量为0.004055 oz，电压供应Vcc Vdd为2.7V~5.5V。
