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3N258-E4/45是DIODE BRIDGE 2A 800V 4SIP，包括单相桥接产品，它们设计为使用管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.066844盎司，提供安装类型特征，如通孔，高度设计为11.68 mm，长度15.24 mm，该装置也可以用作5.08mm宽。此外，封装外壳为4-SIP，KBPM，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的KBPM，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为800V，正向电流DC如果最大值为2A，则其最大工作温度范围为+165 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为560V，Ir反向电流为5uA，最大浪涌电流为60A，峰值反向电压为800V。
3N258-E4/51是DIODE BRIDGE 2A 800V 4SIP，包括5.08 mm宽，它们设计用于560 V Vr反向电压，电压峰值反向最大值如数据表注释所示，用于800V，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计用于0.066844盎司，以及KBPM供应商设备包，该器件也可以用作单相桥产品。此外，峰值反向电压为800V，该设备采用托盘包装，该设备具有4-SIP，KBPM封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为60 a，最大工作温度范围+165 C，长度为15.24 mm，Ir反向电流为5 uA，高度为11.68 mm，二极管类型为单相，最大直流正向电流为2A。
3N258-M4/51，带电路图，包括2A电流DC正向（如果最大），它们设计为与单相二极管类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供4-SIP、KBPM等封装外壳功能，封装设计用于托盘，以及KBPM供应商设备包，该器件还可以用作800V电压峰值反向最大值。
