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KBU8A-E4/51是DIODE 8A 50V KBU，包括单相桥接产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.282192盎司，具有通孔、高度设计为19.3 mm以及23.7 mm长度等安装类型功能，该设备也可用于7.1 mm宽度。此外，封装外壳为4-SIP，KBU，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的KBU，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为50V，正向电流DC。如果最大值为8A，则其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-50 C，Vf正向电压为1V，Vr反向电压为35V，Ir反向电流为10uA，最大浪涌电流为300A，峰值反向电压为50V。
KBU8A是IC BRIDGE RECT 8A 50V KBU，包括35 V Vr反向电压，它们设计用于50V电压峰值反向最大值，Vf正向电压如数据表注释所示，用于1 V，提供单位重量功能，如0.282192盎司，供应商设备包设计用于KBU，以及KBU8系列，该器件也可以用作50V峰值反向电压。此外，包装为散装，设备采用4-SIP、KBU包装箱，设备具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为300 a，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 a，二极管类型为单相，电流DC正向（如果最大值为8A）。
KBU810带有SEP制造的电路图。KBU810采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
