9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GBU8M-E3/51，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBU8M-E3/51参考价格为2.22000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GBU8M-E3/51封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.9A GBU。您可以下载GBU8M-E3/51英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GBU8M是DIODE BRIDGE 1000V 8A GBU，包括GBU8系列，它们设计用于单相桥接产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.190479盎司，安装类型设计用于通孔，以及18.8 mm高，该设备也可以用作22.3 mm长。此外，宽度为3.56 mm，该器件采用4-SIP、GBU封装盒，该器件具有安装型通孔，供应商器件封装为GBU，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为1000V，正向电流DC最大值为8A，Pd功耗为16W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为700 V，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为200 A，峰值反向电压为1000 V。
GBU8M-E3/45是RECT单相桥4SIP，包括3.56 mm宽，它们设计用于700 V Vr反向电压，电压峰值反向最大值显示在数据表注释中，用于1000V，提供Vf正向电压特性，如1 V，单位重量设计用于0.120073 oz，以及GBU供应商设备包，该器件也可以用作单相桥产品。此外，峰值反向电压为1000 V，该设备采用GBU8M-E3/51部件别名，该设备具有管交替包装，包装箱为4-SIP，GBU，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为200 a，它的最大工作温度范围为+150℃，长度为22.3 mm，Ir反向电流为5 uA，高度为18.8 mm，二极管类型为单相，如果最大值为3.9A，则为直流正向电流。
GBU8M-BP是RECT BRIDGE GPP 8A 1000V GBU，包括8A电流DC正向（如果最大），它们设计为与单相二极管类型一起工作，高度如数据表注释所示，用于18.8 mm，提供Ir反向电流功能，如5 uA，长度设计为在22.3 mm内工作，最大工作温度范围为+150 C，该设备也可以用作200 A最大浪涌电流，其最低工作温度范围为-55 C，该设备为通孔安装型，该设备具有安装类型的通孔，包装箱为4-SIP，GBU，包装为管，峰值反向电压为1000 V，产品为单相桥，系列为GBU8，供应商设备封装为GBU，单位重量为0.120073盎司，Vf正向电压为1伏，电压峰值反向最大值为1000伏，Vr反向电压为700伏，宽度为3.56毫米。
