9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GBU8A-M3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBU8A-M3/45价格参考1.33288美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GBU8A-M3/45封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3.9A GBU。您可以下载GBU8A-M3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GBU8A是DIODE BRIDGE 50V 8A GBU，包括GBU8系列，它们设计用于单相桥接产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.190479盎司，安装类型设计用于通孔，以及18.8 mm高，该设备也可以用作22.3 mm长。此外，宽度为3.56 mm，该器件采用4-SIP、GBU封装盒，该器件具有安装型通孔，供应商器件封装为GBU，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为50V，正向电流DC最大值为8A，Pd功耗为16W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为35 V，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为200 A，峰值反向电压为50 V。
GBU8A-BP是RECT BRIDGE GPP 8A 50V GBU，包括3.56 mm宽，设计用于35 V Vr反向电压，数据表中显示了用于50V的电压峰值反向最大值，提供1 V等Vf正向电压功能，单位重量设计用于0.120073盎司，以及GBU供应商设备包，该设备也可作为GBU8系列使用。此外，该产品为单相桥，该器件提供50 V峰值反向电压，该器件有一个封装管，封装盒为4-SIP，GBU，安装方式为通孔，安装类型为通孔。该器件的最低工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为200 a，其最高工作温度范围是+150 C，长度为22.3mm，Ir反向电流为5uA，高度为18.8mm，二极管类型为单相，电流DC正向（如果最大值为8A）。
GBU810-G是整流桥8A 1000V GBU，包括8A电流DC正向（如果最大值），它们设计为与单相二极管类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如4-SIP、GBU，封装设计为批量工作，以及GBU供应商设备包，该器件还可以用作1000V电压峰值反向最大值。
