9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的DB101G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DB101G参考价格0.19800美元。GeneSiC半导体DB101G封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DB。您可以下载DB101G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DB101-BP是整流器桥1A 50V DB-1，包括DB10系列，它们设计用于单相桥产品，包装如数据表注释所示，用于管中，该管具有通孔等安装类型特征，高度设计为3.3 mm，长度为8.51 mm，设备也可用于6.5 mm宽。此外包装箱为4-EDIP（0.321英寸，8.15mm），该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的DB-1，二极管类型为单相，电压峰值反向最大值为50V，电流DC正向如果最大值为1A，则其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为35 V，Ir反向电流为10uA，最大浪涌电流为50A，峰值反向电压为50V。
DB1012S-T是桥式整流器1A 1200V SM GP，包括6.5 mm宽，它们设计用于840 V Vr反向电压，Vf正向电压如数据表注释所示，用于1.1 V，提供单相桥式、峰值反向电压设计用于1200 V以及卷筒包装等产品功能，该设备也可作为DBS包装箱使用。此外，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，器件最大浪涌电流为40 a，最大工作温度范围+150 C，长度为8.8 mm，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 a，高度为3.4 mm。
DB1012SC是桥式整流器1A 1200V SM GP，包括3.4 mm高，它们设计为在1 a的情况下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流，Ir反向电流，其长度特性为8.8 mm，最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流为40 a，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件采用DBS封装盒，器件具有1200V峰值反向电压，产品为单相桥，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为840V，宽度为6.5mm。
