9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的DB105G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DB105G价格参考0.19800美元。GeneSiC半导体DB105G封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB。您可以下载DB105G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DB105是整流器桥1A 600V DB-1，包括单相桥产品，设计用于管包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有3.4 mm的高度特征，长度设计用于8.8 mm，以及6.5 mm的宽度，该设备也可以用作4-EDIP（0.321“，8.15mm）包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DB-1供应商设备包中提供，该设备为单相二极管型，反向电压峰值最大值为600V，正向电流为DC。如果最大值为1A，则其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，正向电压Vf为1.1 V，Vr反向电压为420V，Ir反向电流为5uA，If正向电流为1A，最大浪涌电流为40A，峰值反向电压为600V。
DB105-BP是整流器桥1A 600V DB-1，包括6.5 mm宽，设计用于420 V Vr反向电压，数据表注释中显示了用于600V的电压峰值反向最大值，提供1.1 V等Vf正向电压特性，供应商设备包设计用于DB-1和DB10系列，该器件也可以用作单相桥产品。此外，峰值反向电压为600V，该设备具有4-EDIP（0.321英寸，8.15mm）其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+125 C，长度为8.51 mm，Ir反向电流为10 uA，高度为3.3 mm，二极管类型为单相，以及电流DC正向（如果最大值为1A）。
DB105C是桥式整流器1A 600V GP，包括1 A正向电流，它们设计为在5.0 uA Ir反向电流下工作，最大浪涌电流如数据表注释所示，用于40 A，提供安装类型特征，如通孔，封装外壳设计用于DB-1，以及单相桥式产品，该器件也可以用作1.1V Vf正向电压。
