9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GBL06-M3/51，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBL06-M3/51参考价格为0.88044美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GBL06-M3/51封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL。您可以下载GBL06-M3/51英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GBL08-E3/45是DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL，包括单相桥接产品，它们设计用于管交替包装包装，数据表注释中显示了用于GBL08-E3/51的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.072135盎司，安装样式设计用于通孔，以及10.7 mm高度，该装置也可以用作20.9mm长度。此外，宽度为3.56 mm，设备采用4-SIP、GBL封装盒，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为GBL，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为800V，正向电流为3A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1V，Vr反向电压为560V，Ir反向电流为5uA，最大浪涌电流为150A，峰值反向电压为800V。
GBL08-E3/51是DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL，包括3.56 mm宽，设计用于560 V Vr反向电压，数据表备注中显示了用于800V的电压峰值反向最大值，提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计用于0.072135 oz，以及GBL供应商设备包，该器件也可以用作单相桥产品。此外，峰值反向电压为800V，该器件采用GBL08-E3/45部件别名，该器件具有封装的散装替代封装，封装外壳为4-SIP，GBL，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55C，最大浪涌电流为150A，其最大工作温度范围为+150℃，长度为20.9 mm，Ir反向电流为5 uA，高度为10.7 mm，二极管类型为单相，如果最大值为3A，则电流为直流正向。
GBL08是DIODE BRIDGE 800V 4A GBL，包括4A电流DC正向电流。如果最大值，它们设计为与单相二极管类型一起工作。如果数据表注释中显示正向电流用于4 a，提供Ir反向电流功能，例如5 uA，其最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流为150 a，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，该设备采用通孔安装方式，该设备具有4-SIP，GBL封装盒，封装为散装，峰值反向电压为800V，系列为GBL，供应商设备封装为GBL封装，单位重量为0.072135盎司，Vf正向电压为1.1V，电压峰值反向最大值为800V，Vr反向电压为560V。
GBL08-G是整流器桥4.0A 800V 2GBJ，包括通孔安装型，它们设计用于单相二极管型，系列如数据表注释所示，用于GBL08，提供GBJ等供应商设备包功能，封装设计用于批量工作，以及800V电压峰值反向最大值，该设备也可以用作4-SIP，GBJ包装箱。此外，电流DC正向如果最大值为4A。
