9icnet为您提供由Rectron USA设计和生产的FMD4S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FMD4S参考价格为0.33000美元。Rectron USA FMD4S包装/规格：BRIDGE RECT GLASS 400V 1A MDS。您可以下载FMD4S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FMD40-06KC是MOSFET 40安培600V，包括FMD40-06 KC系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于HiPerFET COOLMOS ISOPLUS i4 PAC，以及ISOPLUS-i4-5包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为38 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.9V，Rds导通漏极-电源电阻为60mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为250nC，沟道模式为增强。
FMD47-06KC5是MOSFET N沟道超级Coolmos功率MOSFET，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS HiPerDyn商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为FMD47-06KC5，上升时间为20ns，漏极电阻Rds为45mOhm，Qg栅极电荷为150nC，封装为Tube，封装外壳为ISOPLUS-i4-5，信道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为47 A，下降时间为10 ns，通道模式为增强型。
FMD-4206S是SANKEN制造的二极管阵列GP 600V 20A TO3PF。FMD-4206S采用TO-3P-3全封装封装，是二极管、整流器阵列的一部分，支持二极管阵列GP 600V 20A TO3PF、二极管阵列标准600V 20A通孔TO-3P-3完整封装。
