9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GBU4D-E3/51，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBU4D-E3/51参考价格$2.2000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GBU4D-E3/51封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU。您可以下载GBU4D-E3/51英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如GBU4D-E3/51价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
GBU4D是DIODE BRIDGE 200V 4A GBU，包括GBU4系列，它们设计用于单相桥接产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供部件别名功能，如GBU4D_NL，单位重量设计为0.190479盎司，以及通孔安装样式，该设备也可用于18.8 mm高。此外，长度为22.3 mm，器件宽度为3.56 mm，器件具有4-SIP，GBU封装盒，安装类型为通孔，供应商器件封装为GBU，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为200V，正向电流最大值为4A，Pd功耗为8W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为140 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为4 A，最大浪涌电流为150 A，峰值反向电压为200 V。
GBU4D-E3/45是DIODE GPP 1PH 4A 200V GPP GBU，包括3.56 mm宽，设计用于140 V Vr反向电压，数据表备注中显示了用于200V的电压峰值反向最大值，提供1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计用于0.120073盎司，以及GBU供应商设备包，该器件也可以用作单相桥产品。此外，峰值反向电压为200V，该设备以GBU4D-E3/51零件别名提供，该设备具有管交替包装，包装箱为4-SIP，GBU，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55C，最大浪涌电流为150A，它的最大工作温度范围为+150℃，长度为22.3 mm，Ir反向电流为5 uA，高度为18.8 mm，二极管类型为单相，如果最大值为3A，则为直流正向电流。
GBU4D-BP是RECT BRIDGE GPP 4A 200V GBU，包括4A电流DC正向（如果最大），它们设计为与单相二极管类型一起工作，高度如数据表注释所示，用于18.8 mm，提供Ir反向电流功能，如5 uA，长度设计为在22.3 mm内工作，最大工作温度范围为+150 C，该设备还可以用作150 A最大浪涌电流，其最低工作温度范围为-55 C，该设备为通孔安装型，该设备具有安装类型的通孔，包装箱为4-SIP，GBU，包装为管，峰值反向电压为200 V，产品为单相桥，系列为GBU4，供应商设备封装为GBU，单位重量为0.120073盎司，Vf正向电压为1 V，电压峰值反向最大值为200V，Vr反向电压为140 V，宽度为3.56 mm。
