9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GBU8B-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBU8B-E3/45参考价格2.14000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GBU8B-E3/45封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU。您可以下载GBU8B-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GBU8B是DIODE BRIDGE 100V 8A GBU，包括GBU8系列，它们设计用于单相桥接产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.120073盎司，安装类型设计用于通孔，以及18.8 mm高度，该设备也可以用作22.3 mm长度。此外，宽度为3.56 mm，该器件采用4-SIP、GBU封装盒，该器件具有安装型通孔，供应商器件封装为GBU，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为100V，正向电流DC最大值为8A，Pd功耗为16W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为70 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为200 A，峰值反向电压为100 V。
GBU8B-BP是RECT BRIDGE GPP 8A 100V GBU，包括3.56 mm宽，它们设计用于70 V Vr反向电压，电压峰值反向最大值显示在数据表注释中，用于100V，提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计用于0.120073盎司，以及GBU供应商设备包，该设备也可以用作GBU8系列。此外，该产品为单相桥，该器件提供100 V峰值反向电压，该器件有一个封装管，封装盒为4-SIP，GBU，安装方式为通孔，安装类型为通孔。其最低工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为200 a，其最高工作温度范围+150 C，长度为22.3mm，Ir反向电流为5uA，高度为18.8mm，二极管类型为单相，电流DC正向（如果最大值为8A）。
GBU8B-E3是VIS公司制造的二极管整流桥单100V 8A 4引脚外壳GBU。GBU8B-E3在GBU封装中提供，是桥式整流器的一部分，并支持二极管整流器桥式单100V 8A 4引脚外壳GBU。
