9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-110MT100KPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-110MT100KPBF参考价格为81.18000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-110MT100KPBF封装/规格：BRIDGE RECT 3PHASE 1KV 110A MT-K。您可以下载VS-110MT100KPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-10WT10FNTRL带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如D-PAK（to-252AA），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及肖特基二极管类型，该器件还可以用作50μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为810mV@10A，该器件提供100V电压DC反向Vr Max，该器件具有10A电流平均整流Io，电容Vr F为400pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
带用户指南的VS-10WT10FNTRR，包括810mV@10A正向电压Vf Max，如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，包装设计为在磁带和卷轴（TR）以及to-252-3、DPak（2引线+标签）中工作，SC-63包装箱，其工作温度结范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有50μa@100V的电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为10A，电容Vr F为400pF@5V，1MHz。
VS-110CNQ045ASMPBF，带有Vishay制造的电路图。是二极管、整流器-单个的一部分，并支持肖特基二极管和整流器肖特基-D-61TM-e3、二极管阵列1对公共阴极肖特基45V 110A通孔D-61-8-SM、二极管肖特基45A 110A 3引脚（3+Tab）外壳D-61-8-MM。
