9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的KBJ2504G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。KBJ2504G参考价格为0.89550美元。GeneSiC半导体KBJ2504G封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A KBJ。您可以下载KBJ2504G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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KBJ2502G是DIODE BRIDGE 200V 25A KBJ，包括KBJ250系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如4-SIP、KBJ，安装类型设计用于通孔以及KBJ供应商设备包，该设备也可以用作单相二极管类型。此外，电压峰值反向最大值为200V，该设备提供25A直流正向电流。如果最大值，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为140 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为25 A，最大浪涌电流为350 A，峰值反向电压为200V。
KBJ2501G是DIODE BRIDGE 100V 25A KBJ，包括70 V Vr反向电压，设计用于100V电压峰值反向最大值，数据表注释中显示了用于1.05 V的Vf正向电压，提供供应商设备包功能，如KBJ，系列设计用于KBJ250，以及100 V峰值反向电压，该装置也可以用作散装包装。此外，包装箱为4-SIP，KBJ，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为350 a，其最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为25 a，二极管类型为单相，如果最大值为25A，则为正向直流电流。
KBJ25005G是DIODE BRIDGE 50V 25A KBJ，包括25A直流正向电流。如果最大值，则设计为与单相二极管类型一起工作。如果数据表注释中显示的正向电流用于25 a，提供Ir反向电流功能，例如5 uA，则其最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流为350 a，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，该设备采用通孔安装方式，该设备具有4-SIP，KBJ封装盒，封装为散装，峰值反向电压为50 V，系列为KBJ250，供应商设备封装为KBJ，Vf正向电压为1.05 V，电压峰值反向最大值为50V，Vr反向电压为35V。
