9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的B80D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。B80D参考价格0.40200美元。Diotec Semiconductor B80D封装/规格：1PH BRIDGE DIL 160V 1A。您可以下载B80D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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B80C800DM-E3/45是DIODE BRIDGE 0.9A 125V 6DIP，包括单相桥接产品，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.014674盎司，具有通孔、高度设计用于3.3毫米以及8.51毫米长度等安装样式特征，该设备也可用于6.5毫米宽度。此外包装箱为4-EDIP（0.300英寸，7.62毫米），该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的DFM，二极管类型为单相，电压峰值反向最大值为125V，电流直流正向如果最大值为900mA，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为80 V，Ir反向电流为10uA，最大浪涌电流为45A，峰值反向电压为125V。
B80C800G-E4/51是DIODE BRIDGE 0.9A 125V WOG，包括8.84 mm宽，设计用于80 V Vr反向电压，数据表备注中显示了用于125V的电压峰值反向最大值，提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计用于0.039507盎司，以及WOG供应商设备包，该器件也可以用作单相桥产品。此外，峰值反向电压为125 V，该器件采用散装包装，该器件具有4个圆形WOG封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围为-40 C，最大浪涌电流为45 a，最大工作温度范围+125 C，长度为9.86 mm，Ir反向电流为10uA，高度为5.6mm，二极管类型为单相，最大直流正向电流为900mA。
B80C1500G-E4/51是DIODE BRIDGE 1.5A 125V WOG，其中包括1.5A直流正向电流。如果最大值，它们设计为与单相二极管类型一起工作，高度如数据表注释所示，用于5.6 mm，提供Ir反向电流功能，例如10 uA，长度设计为在9.86 mm内工作，最大工作温度范围为+125 C，该设备也可以用作50 A最大浪涌电流，其最低工作温度范围为-40 C，该设备为通孔安装型，该设备具有安装类型的通孔，包装盒为4圆形，WOG，包装为散装，峰值反向电压为125 V，产品为单相桥，供应商设备包装为WOG，单位重量为0.039507oz，Vf正向电压为1V，电压峰值反向最大值为125V，Vr反向电压为80V，宽度为8.84mm。
B80C1000G-E4/51是DIODE BRIDGE 1A 125V WOG，包括WOG供应商设备包，它们设计用于通孔安装类型，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供产品功能，如单相桥，二极管类型设计用于单相，以及散装包装，该装置也可以用作9.86mm长。此外，Vr反向电压为80 V，器件宽度为8.84 mm，器件高度为5.6 mm，封装外壳为4圆形，WOG，最大浪涌电流为45 a，正向电流为DC，如果最大值为1A，电压峰值反向最大值为125 V，反向峰值电压为125 V；Ir反向电流为10 uA，正向电压为1 V，单位重量为0.039507盎司，最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃。
