9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT90DR160HJ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT90DR160HJ参考价格为22.29000美元。Microchip Technology APT90DR160HJ包装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV SOT227。您可以下载APT90DR160HJ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT8M100B是MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247，包括卷轴封装，设计用于1.340411盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 8等商标功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该器件还可用作290 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为7.2 ns，上升时间为7.8 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为8 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为1.53欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型接通延迟时间为8.5ns，Qg栅极电荷为60nC，正向跨导最小值为7.5S，沟道模式为增强。
APT85GR120L是IGBT 1200V 170A 962W TO264，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.2V@15V、85A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于600V、85A、4.3 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如43ns/300ns，开关能量设计为在6mJ（开）、3.8mJ（关）下工作，除了TO-264供应商器件封装外，该器件还可以用作962W最大功率。此外，封装为管式，该器件采用TO-264-3、TO-264AA封装外壳，该器件具有安装型通孔，输入型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为660nC，集流器脉冲Icm为340A，集流器Ic Max为170A。
APT85GR120JD60是IGBT模块1200V 116A ISOTOP，包括单一配置，它们设计为在1.1mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于116A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及8.4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SOT-227-4，miniBLOC封装盒，该器件具有大容量封装，最大功率为543W，供应商器件封装为SOT-227，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@15V，85A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
