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B125C800G-E4/51是DIODE BRIDGE 0.9A 200V WOG，包括单相桥接产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.039507盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为5.6 mm，长度为9.86 mm，设备也可用于8.84 mm宽。此外，封装外壳为4圆形，WOG，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的WOG，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为200V，正向电流DC如果最大值为900mA，其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-40 C，Vf正向电压为1V，Vr反向电压为125V，Ir反向电流为10uA，最大浪涌电流为45A，峰值反向电压为200V。
B125C1500G-E4/51是DIODE BRIDGE 1.5A 200V WOG，包括8.84 mm宽，它们设计用于125 V Vr反向电压，数据表备注中显示了用于200V的电压峰值反向最大值，提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计用于0.039507盎司，以及WOG供应商设备包，该器件也可以用作单相桥产品。此外，峰值反向电压为200V，该器件采用散装包装，该器件具有4个圆形WOG封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围为-40℃，最大浪涌电流为50 a，最大工作温度范围+125℃，长度为9.86 mm，Ir反向电流为10uA，高度为5.6mm，二极管类型为单相，最大直流正向电流为1.5A。
B125C800DM-E3/45，带电路图，包括900mA直流正向电流（如果最大），它们设计为与单相二极管类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供封装盒功能，如4-EDIP（0.300英寸，7.62毫米），封装设计为在管中工作，以及DFM供应商器件封装，该器件也可以用作200V电压峰值反向最大值。
B125C3700-2200，带有DIOTEC制造的EDA/CAD模型。B125C3700-2200采用DIP4封装，是IC芯片的一部分。
