9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GBL005-E3/51，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBL005-E3/51价格参考0.74563美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GBL005-E3/51包装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBL。您可以下载GBL005-E3/51英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GBL005-E3/45是DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL，包括单相桥接产品，它们设计用于管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.072135盎司，提供安装类型特征，如通孔，高度设计为10.7 mm，长度为20.9 mm，该装置也可以用作3.56mm宽。此外，封装外壳为4-SIP，GBL，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的GBL，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为50V，正向电流DC如果最大值为3A，则其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1V，Vr反向电压为35V，Ir反向电流为5uA，最大浪涌电流为150A，峰值反向电压为50V。
GBL005是DIODE BRIDGE 50V 4A GBL，包括35V Vr反向电压，它们设计用于50V电压峰值反向最大值，Vf正向电压如数据表注释所示，用于1.1 V，提供单位重量功能，如0.072135盎司，供应商设备包设计用于GBL，以及GBL系列，该器件也可以用作50V峰值反向电压。此外，包装为散装，设备采用4-SIP、GBL包装箱，设备具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为150 a，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为4 a，二极管类型为单相，电流DC正向（如果最大值为4A）。
GBK201209-601Y-N，带有YAGEO制造的电路图。GBK201209-601Y-N提供4kreel封装，是IC芯片的一部分。
