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APT70GR65B是IGBT 650V 134A 595W TO-247，包括管封装，它们设计用于TO-247-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于TO-24 7，以及595W最大功率，该设备也可以用作134A电流收集器Ic Max。此外，集电极-发射极击穿最大值为650V，该器件采用NPT IGBT类型，该器件具有260A集电极脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，70A，开关能量为1.51mJ（开），1.46mJ（关），栅极电荷为305nC，25°C下的Td为19ns/170ns，测试条件为433V，70A，4.3 Ohm，15V。
APT70GR65B2DU40，带有Microsemi制造的用户指南。是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管-功率MOS 8，IGBT NPT 650V 134A 595W通孔T-MAX？[B2]，Trans IGBT芯片N-CH 650V 134A 595000mW 3引脚（3+Tab）T-MAX。
APT70GR65B2SCD30，带有Microsemi制造的电路图。是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管-功率MOS 8，IGBT NPT 650V 134A 595W通孔T-MAX？[B2]，Trans IGBT芯片N-CH 650V 134A 595000mW。
