9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的BR108，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BR108价格参考2.21000美元。GeneSiC半导体BR108封装/规格：BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10。您可以下载BR108英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BR104是DIODE BRIDGE 400V 10A BR-10，包括BR10系列，它们设计用于单相桥式产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为7.5 mm，以及19.6 mm长度，设备也可以用作19.6 mm宽度。此外，封装外壳为4方形，BR-10，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的BR-10，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为400V，正向电流DC。如果最大值为10A，则其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，且Vf正向电压为1.1V，且Vr反向电压为280V，且Ir反向电流为10uA，且如果正向电流为10A，且最大浪涌电流为150A，且峰值反向电压为400V。
BR106是DIODE BRIDGE 600V 10A BR-10，包括19.6 mm宽，设计用于420 V Vr反向电压，数据表备注中显示了用于600V的电压峰值反向最大值，提供1.1 V等Vf正向电压特性，供应商设备包设计用于BR-10和BR10系列，该器件也可以用作单相桥产品。此外，峰值反向电压为600 V，该器件采用散装包装，该器件具有4方形BR-10封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为150 a，最大工作温度范围+150 C，长度为19.6 mm，Ir反向电流为10uA，If正向电流为10A，高度为7.5mm，二极管类型为单相，电流DC正向If Max为10A。
BR102是DIODE BRIDGE 200V 10A BR-10，包括10A直流正向电流。如果最大，它们设计为与单相二极管类型一起工作，高度如数据表注释所示，用于7.5 mm，提供正向电流功能，如10 a，Ir反向电流设计为5 uA，长度为19.6 mm，其最大工作温度范围为+150 C。此外，最大浪涌电流为200 A，其最低工作温度范围为-55 C，设备具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，包装箱为4方形，BR-10，包装为散装，峰值反向电压为200 V，产品为单相桥，系列为BR10，供应商设备包装为BR-10，Vf正向电压为1.1V，电压峰值反向最大值为200V，Vr反向电压为140V，宽度为19.6mm。
