9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GBU4D-M3/51,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。GBU4D-M3/51价格参考1.09378美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GBU4D-M3/51封装/规格:BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBU。您可以下载GBU4D-M3/51英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如GBU4D-M3/51价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
GBU4D是DIODE BRIDGE 200V 4A GBU,包括GBU4系列,它们设计用于单相桥接产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供部件别名功能,如GBU4D_NL,单位重量设计为0.190479盎司,以及通孔安装样式,该设备也可用于18.8 mm高。此外,长度为22.3 mm,器件宽度为3.56 mm,器件具有4-SIP,GBU封装盒,安装类型为通孔,供应商器件封装为GBU,二极管类型为单相,反向电压峰值最大值为200V,正向电流最大值为4A,Pd功耗为8W,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,Vf正向电压为1 V,Vr反向电压为140 V,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为4 A,最大浪涌电流为150 A,峰值反向电压为200 V。
GBU4D-E3/45是DIODE GPP 1PH 4A 200V GPP GBU,包括3.56 mm宽,设计用于140 V Vr反向电压,数据表备注中显示了用于200V的电压峰值反向最大值,提供1 V等Vf正向电压特性,单位重量设计用于0.120073盎司,以及GBU供应商设备包,该器件也可以用作单相桥产品。此外,峰值反向电压为200V,该设备以GBU4D-E3/51零件别名提供,该设备具有管交替包装,包装箱为4-SIP,GBU,安装类型为通孔,最小工作温度范围为-55C,最大浪涌电流为150A,它的最大工作温度范围为+150℃,长度为22.3 mm,Ir反向电流为5 uA,高度为18.8 mm,二极管类型为单相,如果最大值为3A,则为直流正向电流。
GBU4D-BP是RECT BRIDGE GPP 4A 200V GBU,包括4A电流DC正向(如果最大),它们设计为与单相二极管类型一起工作,高度如数据表注释所示,用于18.8 mm,提供Ir反向电流功能,如5 uA,长度设计为在22.3 mm内工作,最大工作温度范围为+150 C,该设备还可以用作150 A最大浪涌电流,其最低工作温度范围为-55 C,该设备为通孔安装型,该设备具有安装类型的通孔,包装箱为4-SIP,GBU,包装为管,峰值反向电压为200 V,产品为单相桥,系列为GBU4,供应商设备封装为GBU,单位重量为0.120073盎司,Vf正向电压为1 V,电压峰值反向最大值为200V,Vr反向电压为140 V,宽度为3.56 mm。