9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GBU4M-M3/51，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBU4M-M3/51价格参考1.09378美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GBU4M-M3/51封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU。您可以下载GBU4M-M3/51英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GBU4M是DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU，包括GBU4系列，它们设计用于单相桥接产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.190479盎司，安装类型设计用于通孔，以及18.8 mm高，该设备也可以用作22.3 mm长。此外，宽度为3.56 mm，设备采用4-SIP、GBU封装盒，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为GBU，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为1000V，正向电流为4A，Pd功耗为8W，最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为700 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为4 A，最大浪涌电流为150 A，峰值反向电压为1000 V。
带用户指南的GBU4K-M3/45，包括800V电压峰值反向最大值，它们设计为与GBU供应商设备包一起工作。数据表注释中显示了用于管替代包装的包装，该包装提供4-SIP、GBU、安装类型设计为在通孔中工作，以及单相二极管类型，该设备还可以用作4A电流DC正向如果最大。
带电路图的GBU4K-M3/51，包括4A电流DC正向（如果最大），它们设计为与单相二极管类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如4-SIP、GBU，封装设计用于托盘交替封装，以及GBU供应商设备封装，该器件还可以用作800V电压峰值反向最大值。
