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APT34N80LC3G是MOSFET N-CH 800V 34A TO-264，包括卷筒包装，它们设计为以0.373904盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-264-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及417 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为6 ns，器件的上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为34 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，Rds漏极源极电阻为125 mOhms，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为70ns，并且典型接通延迟时间为25ns，并且Qg栅极电荷为180nC，并且沟道模式为增强。
APT34N80B2C3G是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括2.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为15 ns，器件的漏极-源极电阻为145 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为180 nC，Pd功耗为417 W，通道数为1通道，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为34 a，并且下降时间是6ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
APT34N80B2C3X，带有由APT制造的电路图。APT34N60B2C3Y采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
