9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GBU4M-M3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBU4M-M3/45价格参考1.09379美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GBU4M-M3/45封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU。您可以下载GBU4M-M3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GBU4M是DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU，包括GBU4系列，它们设计用于单相桥接产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.190479盎司，安装类型设计用于通孔，以及18.8 mm高，该设备也可以用作22.3 mm长。此外，宽度为3.56 mm，设备采用4-SIP、GBU封装盒，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为GBU，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为1000V，正向电流为4A，Pd功耗为8W，最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为700 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为4 A，最大浪涌电流为150 A，峰值反向电压为1000 V。
GBU4M-BP是RECT BRIDGE GPP 4A 1000V GBU，包括3.56 mm宽，设计用于700 V Vr反向电压，电压峰值反向最大值如数据表注释所示，用于1000V，提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计用于0.120073盎司，以及GBU供应商设备包，该设备也可以用作GBU4系列。此外，该产品为单相桥，该器件提供1000V峰值反向电压，该器件具有一个封装管，封装盒为4-SIP，GBU，安装方式为通孔，安装类型为通孔。该器件的最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为150 a，最大工作温度范围+150℃，长度为22.3mm，Ir反向电流为5uA，高度为18.8mm，二极管类型为单相，电流DC正向（如果最大值为4A）。
GBU4M-7001E3/51，带有VISHAY制造的电路图。GBU4M-7001E3/51采用4P封装，是IC芯片的一部分。
